對(duì)于半導(dǎo)體凈化車間工程行業(yè)來(lái)說(shuō)，在施工過(guò)程中，或者是在半導(dǎo)體凈化車間使用過(guò)程中，都會(huì)因?yàn)樯a(chǎn)工藝流程的改變引起的氣流組織、設(shè)備容量等方面的變化而導(dǎo)致設(shè)計(jì)的改變，而這種變更需要在前期設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留好變更的空間，否則將會(huì)為后期的改變埋下隱患。半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)環(huán)境規(guī)定的空氣潔凈度等級(jí)主要取決于半導(dǎo)體集成電路的集成度，不同的工序的空氣潔凈度等級(jí)是依據(jù)將會(huì)污染的概率和對(duì)元器件的潛在故障確定的。
AMC過(guò)濾器和控制比無(wú)塵室過(guò)濾更重要空氣傳播的分子污染（AMC對(duì)小尺寸半導(dǎo)體制造提出了特殊挑戰(zhàn)。酸，堿，有機(jī)物，耐火材料和摻雜劑的不良化學(xué)反應(yīng)會(huì)影響晶片表面和一藝設(shè)備的光學(xué)器件，從而在芯片生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生缺陷，并降低設(shè)備和工具的效率。
在關(guān)鍵的潔凈制造過(guò)程中，AMC越來(lái)越重要。隨著規(guī)格要求的提高和設(shè)備尺寸的縮小，過(guò)程控制面臨巨大的壓力。晶圓可以在工廠內(nèi)呆上一個(gè)月的
時(shí)間，在交付最終產(chǎn)品之前要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)過(guò)程，該工藝鏈中任何微小的污染影響都可能對(duì)晶圓廠的整體成昂率造成嚴(yán)重影響。
另一個(gè)挑戰(zhàn)在于更大尺寸的晶圓的普遍化，這增加了單個(gè)晶圓的成本，并增加了在工具級(jí)別對(duì)納米顆粒和AMC保護(hù)的需求。此外，EUV和多圖案
DUV光刻中使用的無(wú)缺陷掩模的成本不斷上漲，這給設(shè)施以及小型環(huán)境（如檢查設(shè)備和掩模庫(kù)存機(jī)）的污染控制系統(tǒng)帶來(lái)了壓力。
保護(hù)您的工藝設(shè)備和晶圓免受納米顆粒和空氣中的分子污染物的侵害捷凈化解決方案在半導(dǎo)體制造環(huán)境中提供了經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的保護(hù)，包括光刻，蝕刻，擴(kuò)散，金屬化，薄膜，離子注入，檢音工具以及標(biāo)線
片或晶圓存儲(chǔ)區(qū)。
工藝工具空氣濾清器
潔凈室空氣過(guò)濾器
掃描儀預(yù)過(guò)濾系統(tǒng)
